MOSFET 전압-전류 特性
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작성일 20-10-21 08:02본문
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레포트/공학기술
MOSFET전압-전류特性
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다.
증가형(Enhancement Mode) MOSFET: 게이트 전압이 0일 때 전도채널이 없음
공핍형(Depletion Mode) MOSFET: 게이트 전압이 0일 때 전도채널이 있음.
1. N 채널 증가형 MOSFET
가. 구조 및 기호
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MOSFET 전압-전류 特性
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금속- 산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터의 드레인 전류에 대한 드레인-소스전압의 효과와 게이트-소스 효과, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아보는 내용으로 작성된 글입니다.순서
금속- 산화막-반도체 전계 효과 트랜지스터의 드레인 전류에 대한 드레인-소스전압의 효과와 게이트-소스 효과, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아보는 내용으로 작성된 글입니다. 따라서 MOSFET의 입력임피던스는 J-FET에 비하여 수십배 또는 그 이상의 큰 값을 갖는다. 시뮬레이션과 실험을 통하여 MOSFET와 JFET의 차이를 이해하는데 그 목적이 있다
2. theory(이론)
FETs (Field Effect Transistor)
(1)FET 소자의 기능은 BJT와 똑같다. 이외에도 switching 속도를 改善(개선) 한 VMOS 및 소비전력에 유리한 CMOS 등이 있다
MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
MOSFET의 게이트는 매우 작고 뛰어난 property(특성)을 갖는 커패시터이며, 채널을 통한 전도는 게이트와 소스사이에 인가된 전압에 의하여 제어 된다된다.MOSFET전압-전류특성 , MOSFET 전압-전류 특성공학기술레포트 ,
1. 목적
2. theory(이론)
1. N 채널 증가형 MOSFET
2. P채널 증가형 MOSFET
3. N채널 공핍형 MOSFET
4. P채널 공핍형 MOSFET
3. 실험 기계 및 부품
4. 시뮬레이션
1. 목적
금속- 산화막-반도체 전계 효능 transistor(트랜지스터) (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: MOSFETs)의 드레인 전류에 대한 드레인-소스전압의 효능와 게이트-소스 효능, 드레인 전류와 게이트-소스 전압 사이의 관계를 알아본다. 그림 3.23은 BJT와 FET의 switching 작용을 나타낸다
(2)FET는 구조에 따라 JFET와 MOSFET로 대별된다된다.MOSFET는 다시 Depletion(감소형) 및 Enhancement(증가형)로 구분된다된다. 특징으로서는 BJT구동을 위한 전류원 IB대신 gate/source 사이의 VGS의 전압 신호를 이용한다. 그러므로 MOSFET의 입력전류는 J-FET에 비한다면 입력전류와 대립이 되는 커패시터의 누설전류로서, 이는 역방향 바이어스된 pn접합의 누설전류이다.