재료工學(공학) 實驗
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작성일 20-07-26 02:16
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역방향 바이어스 접속일때, 전지의 양극은 N형 실리콘 내의 자유 전자를, 음극은 P형 실리콘 내의 정공을 끌어당기므로 접합부에서 자유 전자와 정공의 결…(생략(省略))
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1. p-n junction, 2. Characterization of jungtion diode, 3. 박막성질 특성, , FileSize : 1569K , 재료공학실험재료실험결과 , 박막 반도체 다이오드 재료공학
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재료工學(공학) 實驗
순서
다.1. p-n junction, 2. Characterization of jungtion diode, 3. 박막성질 특성(特性), , 자료(資料)크기 : 1569K
실험결과/재료
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1. p-n junction
2. Characterization of jungtion diode
3. 박막성질 特性(특성)
a. pn접합의 생성 P형과 N형 실리콘을 서로 결합하면 접합 다이오드가 만들어진다. 이 반도체 소자는 독특한 特性(특성), 즉 전류를 한쪽 방향으로만 통과시키는 능력이 있다 P형쪽에 전지의 양극을, N형쪽에 전지의 음극을 연결하면 전류가 흐르며, 이와 같이 전압을 인가하는 것을 순방향 바이어스라 한다. 전자와 정공은 PN접합을 향하여 확산되며 그 곳에서 재결합하여 중성 전하가 되고, 이 때 소모되는 전자와 정공은 전지로부터 공급된다 전하들의 이러한 운동은 다이오드를 통해 큰 순방향 전류가 흐르도록 하므로 다이오드는 낮은 순방향 저항이 있다고 말한다.
