[test(실험) 리포트 보 고서] 전자회로test(실험) - MOSFET 측정(測定) 과 응용
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작성일 20-02-10 05:02
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그림 5.2 p-채널 디바이스의 Vt 측정(measurement) …(省略)
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다.
① 다양한 저항값
② 0.1㎌의 ...
전자회로實驗 #5
MOSFET 측정(measurement)과 응용
Ⅰ 實驗 goal(목표)
NMOS와 PMOS 트랜지스터의 기본적인 성질과 기초 응용회로 實驗
Ⅱ 부품과 實驗 장치
패키지와 레이아웃 및 내부 결선이 그림 5.1 과 같은 4007 MOS를 實驗한다. 14번 핀은 모든 p-채널 소자의 기판에, 7번 핀은 모든 n-채널 소자 기판에 연결 되어있기 때문에, 어떤 용도에 소자를 사용하던지 14번 핀은 반드시 가장 높은 DC 전위에 7번 핀은 가장 낮은 DC 전위에 연결해야 한다. 그림에서 알 수 있듯이 세 개의 p채널과 세 개의 n채널 소자가 내장되어 있으며, 입, 출력 핀수를 줄이기 위해 몇 개의 노드는 내부적으로 미리 결선되어있으나, 상당히 자유롭게 이용 가능한 구조이다.
① 다양한 저항값
② 0.1㎌의 커패시터
③ 전원 장치
④ DVM
⑤ 두개의 전원 공급 장치(100uF 전해나 탄탈과 1uF 세라믹 캐패시터를 병렬로 전원에 연결하여 사용할 것, 이렇게 하여 저주파 및 고주파에서 전압원이 ac적으로 접지와 낮은 임피던스로 연결되게 만듦)
⑥ 파형발생기
⑦ 10배율 탐침이 있는 2채널 오실로스코프
그림5.1 4770 MOS배열: a)기본 도식도, 윗면도;b)핀 배열, 기판-방향의 기호;c)핀 배열, 간략화한 모습
Ⅲ 기초 theory(이론)
교과서 5.1, 5.2, 5.4, 5.5, 5.6 (4th Ed.)
교과서 4.1, 4.2, 4.3, 4.4, 4.5 (5th Ed.)
Ⅳ 實驗 절차
디바이스 확인
이어질 두 實驗의 목적은 MOS 소자의 파라미터를 빠르게 구하는 방법을 익히는 것이다.
E1.1 PMOS 소자 파라미터 측정(measurement)
goal(목표) : 문턱전압 Vt와 를 신속하게 구하는 방법을 익힌다. 14번 핀은 모든 p-채널 소자의 기판에, 7번 핀은 모든 n-채널 소자 기판에 연결 되어있기 때문에, 어떤 용도에 소자를 사용하던지 14번 핀은 반드시 가장 높은 DC 전위에 7번 핀은 가장 낮은 DC 전위에 연결해야 한다.
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전자회로實驗 #5
MOSFET 측정(measurement)과 응용
Ⅰ 實驗 goal(목표)
NMOS와 PMOS 트랜지스터의 기본적인 성질과 기초 응용회로 實驗
Ⅱ 부품과 實驗 장치
패키지와 레이아웃 및 내부 결선이 그림 5.1 과 같은 4007 MOS를 實驗한다. 14번 핀과 7번 핀 사이의 전압은 18V보다 작아야 하며, 이보다 전압차가 크면, P기판과 N기판사이의 절연이 파괴되므로 안전을 위하여 총 전압차를 16V 이하로 유지해야 한다. 그림에서 알 수 있듯이 세 개의 p채널과 세 개의 n채널 소자가 내장되어 있으며, 입, 출력 핀수를 줄이기 위해 몇 개의 노드는 내부적으로 미리 결선되어있으나, 상당히 자유롭게 이용 가능한 구조이다. 14번 핀과 7번 핀 사이의 전압은 18V보다 작아야 하며, 이보다 전압차가 크면, P기판과 N기판사이의 절연이 파괴되므로 안전을 위하여 총 전압차를 16V 이하로 유지해야 한다.
